特許

J-GLOBAL ID：200903036896581015

導電性銅構造の形成方法

発明者： リンリン チェン ,  ジオング - ピング ル ,  チェングフェング エフ、シアー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-225159
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】半導体ウェーハ上部に改善された金属層を形成する方法を提供することである。【解決手段】堆積された銅シード層(110)上にある酸化銅(105)を、実質的に銅を含まない還元剤溶液(120)に接触させることにより、化学還元する。この接触により、酸化銅(105)は実質的に元素の形の銅に転化され、次いで、第2の銅層(125)が銅シード層(110)の上に電気化学的に堆積される。このような方法およびその結果による導電構造は、配線金属線を含む集積回路を作成する方法として有利に使用できる。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

酸化銅が実質的に元素の形の銅に転化されるように、半導体基板上部に位置する銅シード層上にある酸化銅を、ギ酸塩、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボラン、フォスフィン酸アンモニウムおよび硫酸ヒドラジンから成る群から選ばれる還元剤を含む、実質的に銅を含有しない還元剤溶液に接触させること、および 第2の銅層を銅シード層の上に電気化学的に堆積すること、 を包含する半導体ウェーハ上部に金属層を形成する方法。

IPC (5件)：

C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (5件)：

C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 M

Fターム (22件)：

4K024AA09 ,  4K024BA11 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024DA10 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04