特許

J-GLOBAL ID：200903036906000504

薄膜デバイスおよび薄膜の製造方法

発明者： 真鍋 由雄 ,  前中 一介 ,  鈴木 義彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  前中 一介 ,  大阪府
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061351
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256570
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 薄膜形成の際の基板温度を局部的に制御して、優れた特性の薄膜を形成するとともに、その薄膜周辺の領域に悪影響を及ぼさない薄膜の形成方法、および薄膜デバイスを提供する。【解決手段】 下部電極7や圧電体薄膜8を形成する際にマイクロヒータ5を薄膜形成領域Rに対応して局部的に設け、このマイクロヒータ5に通電することで薄膜形成領域Rに対応する基板温度のみを薄膜形成に適した温度に上昇させている。このため、このようにして加熱される薄膜形成領域Rで優れた特性を有する薄膜8が形成される一方、薄膜形成領域R以外の基板領域の温度上昇が抑制され、薄膜材料が処理回路の形成領域に拡散されたり、すでに半導体基板2中にドープした不純物が再拡散されてしまい、処理回路の性能が著しく低下してしまうといった問題を解消することができる。

請求項（抜粋）：

基板に対して薄膜が局部的に形成されてなる薄膜デバイスにおいて、前記基板と前記薄膜との間に局部加熱層が設けられたことを特徴とする薄膜デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/84 ,  C23C 16/04 ,  G01S 7/521 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22 ,  H04R 17/00 330

FI (7件)：

H01L 29/84 Z ,  C23C 16/04 ,  H04R 17/00 330 A ,  G01S 7/52 A ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/22 Z