特許
J-GLOBAL ID：200903036906176750
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105834
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283405
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】分離幅が広い範囲にわたっていても容易に形成できる素子分離領域を有する半導体装置を得ること。【構成】シリコン基板1上にLOCOS法で形成され、分離幅が最小設計寸法にリソグラフィの合せ精度の4倍を加えた長さより大きい素子分離領域16と、シリコン基板1に溝埋め込み法で形成され、分離幅が最小設寸法の素子分離領域17及び分離幅が最小設計寸法にリソグラフィの合せ精度の4倍を加えた長さ以下の素子分離領域18と、素子分離領域16,17,18で区分された素子形成領域に形成されたMOSトランジスタとを有する。
請求項（抜粋）：
分離幅が所定値以下の第1の素子分離領域と、分離幅が所定値より大きく、前記第1の素子分離領域と異なる構造の第2の素子分離領域と、前記第1及び第2の素子分離領域で区分された素子形成領域に形成された半導体素子とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
