特許

J-GLOBAL ID：200903036911183960

ITO薄膜の製造方法

発明者： 内海 健太郎 ,  黒澤 聡
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-155970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335925
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるITO薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるITOターゲットを用いてスパッタリング法によりITO薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるITOターゲットを用いてスパッタリング法によりITO薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられていることを特徴とするITO薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08

FI (2件)：

C23C 14/34 C ,  C23C 14/08 D

Fターム (7件)：

4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC12 ,  4K029DC24