特許
J-GLOBAL ID：200903036915751172
成膜装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048264
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242054
出願日： 1997年03月03日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 組成制御や不純物濃度制御の自由度が高く、成膜に必要なラジカルの供給も容易な成膜装置を提供する。【解決手段】 減圧されるチャンバ1内の上部に成膜用基板3が下向きに保持され、その下に化合物半導体の原料となる固体ソースを加熱蒸発させるための複数個のHWE炉7(7a,7b,...)が配置される。HWE炉7は、それぞれの中心軸が成膜用基板3上で交わるように傾斜させて配置され、その蒸発気体取り出し口にはそれぞれ成膜用基板3への原料供給を制御するシャッター10(10a,10b,...)が設けられる。チャンバ1内にはまた、化合物半導体の原料となる気体ソースをプラズマ励起してラジカルを生成し、生成されたラジカルを成膜用基板3に供給するラジカル生成室11が基板3を望むように配置される。
請求項（抜粋）：
減圧されるチャンバと、このチャンバ内の上部に配置された、成膜用基板を下向きに保持する基板保持部と、前記チャンバ内にそれぞれの中心軸が前記成膜基板上で交わるように傾斜させて配置された、固体ソースを加熱蒸発させるための複数個の炉と、前記各炉の蒸発気体取り出し口に設けられた蒸発気体の前記成膜用基板への供給を制御するシャッターとを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, C23C 14/24
, C30B 23/06
, C30B 29/40 502
, H01L 21/205
H01L 21/203 M
, C23C 14/24 T
, C30B 23/06
, C30B 29/40 502 A
, H01L 21/205
