特許

J-GLOBAL ID：200903036916959516

配線形成方法

発明者： 内藤 英雄
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335720
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】断線のない良好な配線を形成する。【構成】金属膜12の上に第1のレジストマスク13Aを形成してこの金属膜12の配線となる部分の表面を酸化させた後に前記第1のレジストマスク13Aを剥離する第1の酸化処理と、前記金属膜12の上に第2のレジストマスク13Bを形成してこの金属膜12の前記配線となる部分の表面を再び酸化させた後に前記第2のレジストマスク13Bを剥離する第2の酸化処理とにより、前記金属膜12の表面に酸化膜12aを生成させ、この酸化膜12aをマスクとして前記金属膜12をエッチングして配線の形状にパターニングする。

請求項（抜粋）：

金属膜をパターニングして配線を形成する方法において、前記金属膜の上にこの金属膜の前記配線となる部分を除く領域を覆う第1のレジストマスクを形成し、前記金属膜の前記配線となる部分の表面を酸化させた後に、前記第1のレジストマスクを剥離する第1の酸化処理工程と、前記金属膜の上にこの金属膜の前記配線となる部分を除く領域を覆う第2のレジストマスクを形成し、前記金属膜の前記配線となる部分の表面を再び酸化させた後に、前記第2のレジストマスクを剥離する第2の酸化処理工程と、前記第1および第2の酸化処理工程により前記金属膜の表面に生成させた酸化膜をマスクとして前記金属膜をエッチングし、この金属膜を前記配線の形状にパターニングする工程と、からなることを特徴とする配線形成方法。