特許
J-GLOBAL ID：200903036919283300
半導体電極、半導体電極の製造方法および太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310777
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117912
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】光電変換効率に優れる半導体電極、半導体電極の製造方法および太陽電池を提供すること。【解決手段】本発明の太陽電池1は、第1の基板2と、第1の基板2の上面に設置された第1の電極3と、第1の電極3の上面に設置された半導体電極4と、半導体電極4の外縁部を囲み、その内部に収納空間8を有する壁部5と、壁部5を介して半導体電極4と対向して設置された第2の電極6と、第2の電極6の上面に設置された第2の基板7と、収納空間8内に収納された電解質溶液81とで構成されている。半導体電極4は、主として酸化チタンで構成されている。この酸化チタンは、結晶構造がルチル型の二酸化チタンを含むのが好ましい。また、半導体電極4は、膜状をなしているのが好ましく、バンドギャップが3.1eV以下であるのが好ましい。
請求項（抜粋）：
主として酸化チタンで構成される半導体電極であって、前記酸化チタンは、結晶構造がルチル型の二酸化チタンを含むことを特徴とする半導体電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
