特許

J-GLOBAL ID：200903036923013768

半導体薄膜の形成方法

発明者： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  クリストフ・シラ ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-246798
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062899
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 良質のアモルファス半導体薄膜を300°C以下の低温で形成することを可能とする。【構成】 ガラス基板1上にゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソース領域6及びドレイン領域7を形成した後、プラズマCVD法により300°C以下の低温で全面にノンドープのa-Si:H薄膜8を形成する。次に、このa-Si:H薄膜8にパルスレーザ光Lを照射して溶融し、その後固化することによって、ソース領域6とドレイン領域7との間の部分におけるゲート絶縁膜3上にのみa-Si:H薄膜9を形成する。このa-Si:H薄膜9がチャネル領域として用いられる。この後、水素プラズマ処理によりこのa-Si:H薄膜9を水素化処理する。

請求項（抜粋）：

IV族元素を主成分とする第1の半導体薄膜にエネルギービームを照射して溶融し、その後固化することによりアモルファスの第2の半導体薄膜を形成する工程と、上記第2の半導体薄膜を水素化処理する工程とを有する半導体薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F ,  H01L 31/04 V