特許

J-GLOBAL ID：200903036928608034

固体電解コンデンサの製造方法

発明者： 山口 晃弘 ,  花崎 福文
出願人/特許権者： 富士通メディアデバイス株式会社
代理人 (1件)： 笹沢 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345126
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151359
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 漏れ電流の値を極めて小さくすることができる固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。【解決手段】 陽極金属1の表面に誘電体酸化皮膜層2を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層2の上面に固体電解質層4を形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前記固体電解質層4の形成が、前記誘電体酸化皮膜層2の欠陥部分に流れる漏れ電流を利用しての電解重合により該欠陥部分に重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施すことにより、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合膜の絶縁化により修復し、次いで、化学重合方法により導電性高分子を生成させて行なう。

請求項（抜粋）：

陽極金属の表面に誘電体酸化皮膜層を形成し、更に該誘電体酸化皮膜層の上面に固体電解質層を形成してなる固体電解コンデンサにおいて、前記固体電解質層の形成が、前記誘電体酸化皮膜層の欠陥部分に流れる漏れ電流を利用しての電解重合により該欠陥部分に重合膜を形成し、次いで、再化成処理を施すことにより、前記欠陥部分を弁金属の陽極酸化と重合膜の絶縁化により修復し、次いで、化学重合方法により導電性高分子を生成させて行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。

IPC (2件)：

H01G 9/028 ,  C08G 61/12

FI (2件)：

C08G 61/12 ,  H01G 9/02 331 H

Fターム (5件)：

4J032BA01 ,  4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032CG01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体電解コンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135925   出願人：マルコン電子株式会社
• 固体電解コンデンサ素子の絶縁化処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-123159   出願人：日通工株式会社