特許

J-GLOBAL ID：200903036938145385

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 佐久間 遵
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305752
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148536
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 多層薄膜のある層を側方からエッチングする場合に、エッチング量を高精度に制御することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 低い面、高い面、及び低い面と高い面とを接続する段差面を有する下地基板の低い面、高い面及び段差面の上にAl2 O3 からなる第1の層をコンフォーマルに堆積する工程と、第1の層の上に第2の層を堆積する工程と、第2の層の一部領域をエッチングして、段差面を含む領域に第2の層を残すとともに、低い面と高い面のうちいずれか一方の面上においてのみ第1の層の一部を露出させる工程と、高い面、低い面、段差面、及び第2の層を実質的にエッチングせず、Al2 O3 をエッチングするエッチャントを用いて第1の層をエッチングし、低い面と高い面のうち一方の面上及び段差面上の第1の層を除去し、低い面と高い面のうち一方の面とは異なる他方の面上の第1の層を残す工程とを含む。

請求項（抜粋）：

Al2 O3 とはエッチング耐性の異なる材料が表出し、低い面、高い面、及び低い面と高い面とを接続する段差面を有する下地基板を準備する工程と、前記低い面、高い面及び段差面の上にAl2 O3 からなる第1の層をコンフォーマルに堆積する工程と、前記第1の層の上に、Al2 O3 とはエッチング耐性の異なる材料からなる第2の層を堆積する工程と、前記第2の層の一部領域をエッチングして、前記段差面を含む領域に前記第2の層を残すとともに、前記低い面と高い面のうちいずれか一方の面上においてのみ前記第1の層の一部を露出させる工程と、前記高い面、低い面、段差面、及び前記第2の層を実質的にエッチングせず、Al2 O3 をエッチングするエッチャントを用いて前記第1の層をエッチングし、前記低い面と高い面のうち前記一方の面上及び前記段差面上の前記第1の層を除去し、前記低い面と高い面のうち前記一方の面とは異なる他方の面上の前記第1の層を残す工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 27/10 621 A ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/88 C