特許
J-GLOBAL ID：200903036952118340
光起電力素子及びその連続的製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008061
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183357
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、より高品質なシリコン系非単結晶半導体光起電力素子と、連続して移動する帯状部材上に、大面積にわたって、高品質で優れた均一性を有す光起電力素子の連続的製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、i型層及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子において、前記p型層と前記n型層の少なくとも一方は0.5Torr以上の堆積室圧力で堆積膜形成用の原料ガスからRFプラズマCVD法で堆積され、i型層は10mTorr以下の堆積室圧力で堆積膜形成用の原料ガスからマイクロ波プラズマCVD法で堆積され、且つ層中の水素含有量が前記p型層、前記n型層、前記i型層の順で増加していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、i型層及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子において、前記p型層と前記n型層の少なくとも一方は0.5Torr以上の堆積室圧力で堆積膜形成用の原料ガスからRFプラズマCVD法で堆積され、i型層は10mTorr以下の堆積室圧力で堆積膜形成用の原料ガスからマイクロ波プラズマCVD法で堆積され、且つ層中の水素含有量が前記p型層、前記n型層、前記i型層の順で増加していることを特徴とする光起電力素子。
IPC (6件)：
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C30B 25/02
, C30B 25/16
, H01L 31/04
, H01L 21/205
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C30B 25/02 Z
, C30B 25/16
, H01L 21/205
, H01L 31/04 B
, H01L 31/04 T
