特許

J-GLOBAL ID：200903036958330120

ウェーハの製造方法、及び半導体装置

発明者： 加園 富男
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321533
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 マウンドと残留歪がなく、表面が鏡面状態のウェハを得ること。【解決手段】 結晶成長層2の上に生じた結晶の異常成長によるマウンドを除去した後、気相成長炉中でのガスエッチングにより、欠陥除去中に発生した残留歪6を除去し、ウェーハを得、それを用いて半導体装置を得る。

請求項（抜粋）：

結晶成長で生じた結晶の異常成長による欠陥を除去した後、気相成長炉中のガスエッチングにより、欠陥除去により生じた(残留)歪を除去することを特徴とするウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 21/302 P