特許
J-GLOBAL ID:200903036963299842

固体撮像装置及びその駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-006657
公開番号(公開出願番号):特開2002-217397
出願日: 2001年01月15日
公開日(公表日): 2002年08月02日
要約:
【要約】【課題】 MOS型固体撮像装置の暗電流の低減を図る。【解決手段】 フォトダイオードPDと、検出部Nと、フォトダイオードPDに蓄積された電荷を検出部Nに転送する転送トランジスタQT とを備えた画素2を有し、フォトダイオードPDに電荷を蓄積するときの転送トランジスタQT のゲート電圧を負電圧とする。
請求項(抜粋):
フォトダイオードと、検出部と、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を前記検出部に転送する転送トランジスタとを備えた画素を有し、前記フォトダイオードに電荷を蓄積するときの前記転送トランジスタのゲート電圧が負電圧とされることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件):
H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A
Fターム (18件):
4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118CA19 ,  4M118DB14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA14 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CX32 ,  5C024GX03 ,  5C024GY37 ,  5C024GY39 ,  5C024GZ20 ,  5C024JX29
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭60-257568
  • 特開昭60-257568

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