特許
J-GLOBAL ID：200903036977302145
走査型ホール磁気計チップとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253456
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 ホール素子とサンプル間の距離を小さくすることにより、空間分解能を向上する、もしくは従来と同等の空間分解能を大きな深さ方向のダイナミックレンジを持って発揮できる、走査型ホール磁気計チップとその製造方法を提供する。【構成】 1はGaAs/AlGaAs基板であり、基板表面近傍に二次元電子ガス層を有している。この基板を自然劈開した自然劈開面2により形成された角をトンネルチップ3とする。トンネルチップ3の近傍に微小ホール素子4が設けられている。微小ホール素子は、GaAs/AlGaAs基板1表面に、イオンを照射し、イオン注入部5の二次元電子ガスを選択的に消滅させて、形成した。
請求項（抜粋）：
二次元電子ガス層または薄い導電層を有する基板の自然劈開面により形成された基板の角をトンネルチップとして、そのトンネルチップから集束イオンビームの直径程度離れた極近傍に二次元電子ガス層を磁気感応部とする微小なホール素子を設けたことを特徴とする走査型ホール磁気計チップ。
IPC (6件)：
G01R 33/07
, G01B 7/34
, G01N 37/00
, G01R 33/10
, H01L 43/06
, H01L 43/14
