特許
J-GLOBAL ID：200903036977395500
熱電変換素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-334186
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148726
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 熱電変換素子のP型半導体とN型半導体とのPN接合に関して、十分な接合強度を持つろう付け方法、及びそれを利用した熱電変換素子を提供することを目的とする。【構成】 鉄珪化物を主体とするP型半導体11とN型半導体12とをPN接合した構成からなる熱電変換素子において、該P型半導体11と該N型半導体12がAg-Cu-Ti系ろう材13によってろう付けされたPN接合部を有することを特徴とする熱電変換素子。該ろう材が重量比でTiを1〜15%含有するAg-Cu-Ti系ろう材であること。該接合部がろう材とAg、Cu拡散した鉄珪化物からなる接合反応層を介して接合されていること。
請求項（抜粋）：
鉄珪化物(FeSi2)を主体とするP型半導体とN型半導体とを接合した構成からなる熱電変換素子において、該P型半導体と該N型半導体がAg-Cu-Ti系ろう材によってろう付けされた接合部を有することを特徴とする熱電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 35/32
, G01K 7/02
, H01L 35/14
