特許

J-GLOBAL ID：200903036978132782

不揮発性メモリ

発明者： 小川 淳二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060735
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275088
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】メモリ・セル・トランジスタとして書換え可能な不揮発性メモリ・セル・トランジスタを配列させてなる不揮発性メモリ、例えば、一括消去型不揮発性メモリに関し、信頼性の高い消去回数値を得ることができるようにし、その利便性を高める。【構成】メモリセルアレイ部6の消去が行われるごとに、カウント値記憶回路250の1ビット記憶回路C0〜C15の一括消去型不揮発性メモリ・セル・トランジスタに、「1」を記憶する一括消去型不揮発性メモリ・セル・トランジスタがなくなるまで、順に「0」を書込む。

請求項（抜粋）：

消去回数記録用の複数の書換え可能な不揮発性メモリ・セル・トランジスタを有し、メモリセルアレイ部の消去が行われるごとに、その事実を、前記消去回数記録用の複数の書換え可能な不揮発性メモリ・セル・トランジスタに未記録の不揮発性メモリ・セル・トランジスタがなくなるまで、前記消去回数記録用の複数の書換え可能な不揮発性メモリ・セル・トランジスタに1個ずつ記録させることにより前記メモリセルアレイ部の消去回数をカウントするカウント回路を含んで構成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G06F 12/16 310