特許

J-GLOBAL ID：200903036979295456

気相成長装置

発明者： 成富 康夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014880
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211125
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】気相成長装置のエッチング工程でチャンバー内に付着する粉体を低減させ、チャンバー内に置かれたウェハースへのパーティクル汚染を防止する。【構成】チャンバー1の内部に、400〜500°Cに加熱されたテーブルと、チャンバー1内にガスを導入する為のガス導入口4と、チャンバー1内を真空に排気する為の排気口5を有し、又、チャンバー1の壁面,底面及び上面にはチャンバー1を50〜200°Cに加熱するヒーター6を有しエッチングガスの固体化を防ぐ。

請求項（抜粋）：

真空に排気されたチャンバーの内部に加熱されたテーブルを有し、このテーブルにウェハースを置き、チャンバーにガスを導入することによりウェハースに薄膜を形成させる気相成長装置において、チャンバーの壁面、底面及び上面にヒーターを有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31