特許
J-GLOBAL ID：200903036981112504
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339216
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175163
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ処理室の圧力といったプラズマパラメータを変更することなく、自己バイアス電圧を制御できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 高周波電力が印加される印加側電極8と、接地側電極1とが配設されたプラズマ処理室6内には、接地された導体12が、印加側電極8の周囲に、移動可能に設けられ、あるいは、該導体12の露出面積を可変する絶縁カバー13が設けられている。
請求項（抜粋）：
高周波電源に接続された印加側電極と、接地側電極とが配設されたプラズマ処理室内を備え、前記プラズマ処理室内には、接地された導体が、前記印加側電極の周囲に、移動可能に設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
