特許
J-GLOBAL ID:200903036988513687

パワーモジュール用基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-021479
公開番号(公開出願番号):特開2004-235387
出願日: 2003年01月30日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】高放熱特性を確保しながら反りが少なく、接合部の疲労劣化の少ない安価で信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。【解決手段】セラミック基板11の上表面側に半導体素子12を搭載するための配線金属板13と、セラミック基板11の下表面側に半導体素子12から発生する熱を伝熱及び放熱させるための金属板15と、金属板15からの熱を伝熱及び放熱させるための放熱板16を接合して有するパワーモジュール用基板10において、放熱板16がAl板からなり、放熱板16の開放面に接続される冷却器18との間の開放面に、接合時に発生する反りを矯正するための開放面の面積より接合面積の小さい反り補正板19が接合され、しかも、反り補正板19が反り補正板19の厚さと同等以上の深さを有する放熱板16に設けられる凹部20に接合される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック基板の上表面側に半導体素子を搭載するための配線金属板と、前記セラミック基板の下表面側に前記半導体素子から発生する熱を伝熱及び放熱させるための金属板と、該金属板からの熱を伝熱及び放熱させるための放熱板を接合して有するパワーモジュール用基板において、 前記放熱板がAl板からなり、該放熱板の開放面に接続される冷却器との間の該開放面に、接合時に発生する反りを矯正するための前記開放面の面積より接合面積の小さい反り補正板が接合され、しかも、前記反り補正板が該反り補正板の厚さと同等以上の深さを有する前記放熱板に設けられる凹部に接合されることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (5件):
H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/373 ,  H01L23/40
FI (6件):
H01L23/36 C ,  H01L23/40 F ,  H01L23/36 M ,  H01L23/36 Z ,  H01L23/12 C ,  H01L23/12 J
Fターム (4件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD03 ,  5F036BD13
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-224864   出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング
  • 回路基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-085605   出願人:電気化学工業株式会社
  • 特開昭62-287649

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