特許
J-GLOBAL ID：200903036988786705
電荷結合イメージセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346553
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203344
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 CCDイメージセンサにおいて、ITOゲートの厚みの均一化と電荷転送効率の向上を図る。【解決手段】 基板上にゲート誘電体層110aが形成され、その表面に複数相のゲート電極層105a、106aが形成される。シリコンをCCDの表面上に堆積し、第一電極組以外の領域をマスクで覆う。エッチングを行い、マスクした領域に堆積シリコン層を残し、この残った堆積シリコンの両側の側壁を酸化する。CCDを覆うように電極層を形成して一連の第1の電極を形成する。CMPを用いて、堆積シリコン層の残り部分と、電極層の部分とを除去する。この時、側壁が残るように行う。別の電極物質を形成しCMP処理を行うことで上記の処理を繰り返し、隣接する2つのU型ゲートを形成する。
請求項（抜粋）：
相互に僅かな空間を有して隣接し重複せずに配置されたゲート電極を備えた電荷結合素子において、ゲート誘電体層が表面に形成された半導体基板と、それぞれ前記ゲート電極部に対応付けられるCCD内の複数の相と、前記ゲート電極部間に配置される絶縁物質と、前記ゲート電極部において、実質的な水平部と、前記絶縁物質に隣接して前記水平部から上方に延びる実質的な垂直部とを有するように構成されたゲート電極物質と、を有することを特徴とする電荷結合素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H04N 5/335 U
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
