特許

J-GLOBAL ID：200903036990173028

ダイシング方法および半導体装置

発明者： 小澤 英美 ,  平野 次彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026742
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223572
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハのダイシング時におけるシリコン屑の発生量を抑制する。【解決手段】 半導体ウェハ1の厚さをA、ダイシングによる切り残し量をBとした場合、A>B>100μm、の関係が成立する切り残し量となるように第1のブレードにより半導体ウェハ1をダイシングする第1の工程と、第1のブレードの刃厚をC、第2のブレード3bの刃厚をDとした場合、(C-5μm)≧D>30μm、の関係が成立する刃厚を有する第2のブレード3bで第1のブレードによりダイシングされた箇所をさらにダイシングして半導体ウェハ1を個々のLSIチップに分離する第2の工程とでダイシングを実行する。

請求項（抜粋）：

集積回路の形成された半導体ウェハのダイシング方法であって、前記半導体ウェハの厚さをA、ダイシングによる切り残し量をBとした場合、A>B>100μm、の関係が成立する切り残し量となるように第1のブレードにより前記半導体ウェハをダイシングする第1の工程と、前記第1のブレードの刃厚をC、第2のブレードの刃厚をDとした場合、(C-5μm)≧D>30μm、の関係が成立する刃厚を有する前記第2のブレードで前記第1のブレードによりダイシングされた箇所をさらにダイシングして前記半導体ウェハを個々のLSIチップに分離する第2の工程とを有することを特徴とするダイシング方法。

FI (2件)：

H01L 21/78 F ,  H01L 21/78 Q