特許
J-GLOBAL ID:200903037004444708
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-039740
公開番号(公開出願番号):特開2001-229514
出願日: 2000年02月14日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】本発明は、再生用に巨大磁気抵抗効果型(GMR)ヘッドあるいはスピントンネル磁気効果型(TMR)ヘッドを用いるの薄膜磁気ヘッドの製造方法において、磁気特性及び浮上特性を飛躍的に向上させるとともに、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。【解決手段】薄膜磁気ヘッドの浮上面の加工方法において、イオンミリングにより浮上面にステップ状のレールを加工する工程と、その工程の後に、クラスター状のイオンビーム加工を行う。あるいは、支持バネに磁気ヘッドをとりつけた状態で、クラスター状のイオンビーム加工を行い、引続き真空または雰囲気制御されたチャンバー内でドライブへの組立を行うことにより、表面粗さ、加工段差が小さく、かつ傷、腐食、汚染などによる素子特性の劣化が発生しない。さらに、浮上量のばらつきを低減しヘッドの実効浮上量を減少させることができ、記録密度を従来よりも高めた磁気ディスク装置が得られるとともに、磁気ディスク装置の信頼性が飛躍的に向上する。
請求項(抜粋):
巨大磁気抵抗効果型(GMR)あるいはスピントンネル磁気効果型(TMR)ヘッドを用いる磁気ヘッドでありかつ、磁気ディスク媒体から最近接の位置にある第1の浮上面と、その次に近い位置にある第2の浮上面を持つステップ型の磁気ヘッドスライダにおいて、第2の浮上面の表面粗さが0nmRmax以上10nmRmax以下であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
IPC (3件):
G11B 5/39
, G11B 5/60
, G11B 21/21 101
FI (4件):
G11B 5/39
, G11B 5/60 U
, G11B 5/60 C
, G11B 21/21 101 P
Fターム (12件):
5D034BA03
, 5D034BA19
, 5D034BB12
, 5D034CA06
, 5D034DA07
, 5D042NA02
, 5D042PA01
, 5D042PA05
, 5D042PA09
, 5D042QA03
, 5D042QA04
, 5D042RA02
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