特許
J-GLOBAL ID：200903037005859006
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-080340
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288254
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 金属配線の段差が平坦化された半導体装置を得ること。【構成】 基板絶縁層1の上に第1の絶縁層2が設けられている。第1の絶縁層2の上に、第1の金属配線33a,第2の金属配線33bおよび第3の金属配線33cが、互いに離されて形成されている。第1の金属配線33aと第2の金属配線33bとのすき間部分に、第1のシリコン酸化膜5aが埋め込まれている。第2の金属配線33bと第3の金属配線33cとのすき間部分に、第2のシリコン酸化膜5bが埋め込まれている。第1のシリコン酸化膜5aと第2のシリコン酸化膜5bとは互いに分離している。
請求項（抜粋）：
基板絶縁層と、前記基板絶縁層の上に、互いに離されて形成された第1の金属配線、第2の金属配線および第3金属配線と、前記第1の金属配線と前記第2の金属配線とのすき間部分に埋め込まれた第1のシリコン酸化膜と、前記第2の金属配線と前記第3の金属配線とのすき間部分に埋め込まれた第2のシリコン酸化膜と、前記第1、第2、第3の金属配線および前記第1、第2のシリコン酸化膜を覆うように前記基板絶縁層の上に設けられた絶縁層と、を備え、前記第1のシリコン酸化膜と前記第2のシリコン酸化膜とは互いに分離している、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
