特許
J-GLOBAL ID：200903037008570325
静電容量型圧力センサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-247877
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】ダイアフラムを構成するシリコン層の絶縁分離と応力緩和を図り、シリコン層に信号処理回路を形成し、低コストで圧力センサを製造する。【構成】シリコン基板1の表面にシリコンとほぼ熱膨張率が等しい絶縁膜2を形成し、その上にシリコン層3を形成する。シリコン層3の上面に底面が平坦な凹部4を形成し、上面に下部電極5、信号処理回路部6、接続配線7を形成する。シリコン基板1を選択エッチングして薄肉部8と厚肉部9を形成する。薄肉部8は感圧部を構成する。上部ガラス板11の下面に上部電極12を形成する。上部ガラス板11とシリコン層3を陽極接合法により貼合わせる。シリコン層3は絶縁膜2で絶縁分離されるので、応力が緩和され、信号処理回路を形成することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の上にシリコンと熱膨張率のほぼ等しい絶縁膜を介して設けられた一導電型で単結晶のシリコン層と、このシリコン層の上面に設けられ底面が平坦な凹部と、この凹部の底面に形成された反対導電型領域からなる下部電極と、この下部電極に向かい合う前記シリコン基板の領域を前記絶縁膜が露出するまで選択除去して形成される薄肉部とを有するダイアフラムと、前記ダイアフラムの上面に取付けられ前記下部電極に間隔をおいて対向する上部電極を有する上部ガラス板と、前記シリコン層の表面に設けられ前記下部電極と前記上部電極からの信号を受けて圧力値を算出する信号処理回路とを備えたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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