特許

J-GLOBAL ID：200903037010970241

インダクタ及びその製造方法

発明者： 田邊 正文
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306843
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079286
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】基板に開口したV字溝の内部にインダクタを形成することによって、抵抗損失が増加することなく、かつ、他の素子に影響を与えることなく小型化できるオンチップインダクタを提供する。【解決手段】インダクタは、単結晶シリコン基板1上に方形の平面形状を成して形成され、半導体基板1上に開口したV字形状の断面を有するV字溝8と、半導体基板1上におけるV字溝8が成す方形形状の中心部に形成され、V字溝8に囲まれた角錐台9とを備える。V字溝8の斜面にシリコン酸化膜2を介しインダクタコイル3が形成される。インダクタコイル8の一方の終端3aは、角錐台9頂部に位置し、層間絶縁膜4及び平坦化層5に形成されたスルーホール6を介し上層の金属配線層7に接続される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の平面形状を成して形成され、該半導体基板上に開口したV字形状の断面を有するV字溝と、 前記半導体基板上における前記V字溝が成す平面形状の中心部に形成され、該V字溝に囲まれた角錐台あるいは円錐台とを備え、 前記V字溝の斜面にインダクタコイルが形成され、 該インダクタコイル終端は、前記角錐台あるいは円錐台頂部に位置することを特徴とするインダクタ。

IPC (5件)：

H01F41/04 ,  H01F17/00 ,  H01F17/02 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (4件)：

H01F41/04 C ,  H01F17/00 B ,  H01F17/02 ,  H01L27/04 L

Fターム (12件)：

5E062DD01 ,  5E070AA01 ,  5E070AB01 ,  5E070AB04 ,  5E070BA01 ,  5E070CB01 ,  5E070CB12 ,  5F038AZ05 ,  5F038CA11 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20