特許
J-GLOBAL ID：200903037012802575
導電性金属酸化物皮膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-145778
公開番号（公開出願番号）：特開平7-331450
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 低コストでまた低温プロセスで、密着力の大きい導電性酸化物皮膜を絶縁体基板上に形成する方法の確立。【構成】 アルカリ水溶液中でZnO、SnO2 、TiO2 及びIn2 O3 の1種以上を構成する金属の金属錯体を形成し、絶縁体基板を該金属錯体を含む溶液に接触させ、金属錯体を熱分解させることにより該絶縁体基板上に導電性金属酸化物皮膜を1〜2μm/時間の速度で成膜させる。密着性の良好な熱分解導電性金属酸化物皮膜が形成される。酸化物皮膜の抵抗値を下げるため、導電性金属酸化物皮膜を形成した後基板を熱処理し、また溶液中にAlイオンまたはBイオンを添加して酸化物皮膜中にAlまたはBをドープすることができる。
請求項（抜粋）：
アルカリ水溶液中で導電性金属酸化物を構成する金属の金属錯体を形成し、絶縁体基板を該金属錯体を含む溶液に接触させ、該金属錯体を熱分解させることにより該絶縁体基板上に導電性金属酸化物皮膜を形成することを特徴とする導電性金属酸化物皮膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 18/12
, C01G 9/02
, C03C 17/25
, C04B 41/87
