特許

J-GLOBAL ID：200903037015137688

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  大井 明彦 ,  上條 洋 ,  松山 秀昭
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321954
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】電流路に高抵抗部分がなく、動作時に発熱の少ないAlx Gay In1-x-y N からなるIII 族窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上1sにAlx Gay In1-x-y N (0≦x、y、かつx+y≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜 3〜7 が積層されてなり、最終のIII族窒化物半導体薄膜の上に電極層8aが形成されているIII 族窒化物半導体素子において、前記基板と前記III 族窒化物半導体薄膜の間には、金属導電性を示し、岩塩型または六方晶系の結晶構造である遷移金属窒化物からなるバッファ層2cを介在させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にAlx Gay In1-x-y N (0≦x、y、かつx+y≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなり、最終のIII 族窒化物半導体薄膜の上に電極層が形成されているIII 族窒化物半導体素子において、前記基板と前記III 族窒化物半導体薄膜の間には、金属導電性を示し、岩塩型または六方晶系の結晶構造である遷移金属窒化物からなるバッファ層を介在させることを特徴とするIII 族窒化物半導体半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C