特許
J-GLOBAL ID：200903037036116842
ホール素子及びホールIC
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243424
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060255
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 出力ホール電圧即ち感度の温度に対する変化が極めて小さく、かつ実用的な感度を有するホール素子を提供する。又、信号処理ICの構成がより簡素で、素子サイズが小さい上に、優れた温度特性、高信頼性を有し、さらには高耐熱性、高耐圧という特徴を備えたホールICを提供する。【解決手段】 ホール素子の動作層を構成する材料として、GaN、InN、InGaN、AlGaN等のように、電子の有効質量が、電子の静止質量の0.08倍以上0.5倍以下の化合物半導体、或いはGaN/AlGaNのようなヘテロ接合構造を用いる。又、このようなホール素子を用いてホールICを作製する。さらには、ホール素子と信号処理ICを同一の化合物半導体層上に作製し、モノリシックホールICとする。
請求項（抜粋）：
動作層に化合物半導体材料を用いたホール素子において、該化合物半導体材料の電子の有効質量が、電子の静止質量の0.08倍以上0.5倍以下であることを特徴とするホール素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/06 S
, G01R 33/06 H
2G017AA04
, 2G017AB05
, 2G017AD53
