特許

J-GLOBAL ID：200903037036583661

シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置

発明者： 林 英治 ,  塩田 淳 ,  西川 通則 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175600
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367984
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁として、2.2以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ機械的強度に優れた膜に関する。【解決手段】 (A)シロキサン化合物ならびに(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

(A)シロキサン化合物ならびに(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 K

Fターム (23件)：

5F033HH08 ,  5F033PP19 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AB06 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02