特許

J-GLOBAL ID：200903037049873871

半導体集積回路の間接シミュレーション方法及び装置

発明者： 李 在 ▲ホン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209734
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047121
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】コアIPモデルを用いて実際コアIP回路を含む半導体集積回路のインテグレイションをシミュレーションすることができる半導体集積回路の間接シミュレーション方法及び間接シミュレーション装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路の間接シミュレーション方法は、入力及び出力ピンでサークルチェーンを構成して実際コアIP回路に代わるコアIPモデルを提供し、コアIPモデルに対するテストベンチを生成し、生成されたテストベンチを用いてコアIPモデルが含まれた半導体集積回路のインテグレイションをシミュレーションする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

入力及び出力ピンでサークルチェーンを構成して実際コアIP回路に代るコアIPモデルを提供する段階と、 前記コアIPモデルに対するテストベンチを生成する段階と、 前記生成されたテストベンチを用いて前記コアIPモデルを含む半導体集積回路のインテグレイションをする段階と、 前記インテグレイションされた半導体集積回路をシミュレーションする段階と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路の間接シミュレーション方法。

IPC (1件)：

G06F 17/50

FI (3件)：

G06F17/50 664A ,  G06F17/50 654K ,  G06F17/50 670G

Fターム (3件)：

5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5B046JA05