特許

J-GLOBAL ID：200903037054351999

化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 林 明徳
出願人/特許権者： 連勇科技股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003249
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094116
出願日： 2001年01月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤーボンディングの製造工程を1回で済み、電流を均一に広げる化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の化合物半導体発光素子は、絶縁基板上に形成されるGaN系半導体積層構造を有する。このGaN系半導体積層構造は、底部にあるn型層と、最上部にあるp型層と、n型層とp型層の間に挟まれ光を発生する活性層と、を備えている。GaN系半導体積層構造の周辺部をエッチングすることにより、n型層の周辺部の露出表面を中央部より低下させる。さらに、n型層の露出表面には、n型電極が形成され、p型層上にはn型電極と電気的に接続しないp型電極が形成される。絶縁基板の側壁及び底部の表面を覆うと共にn型電極と電気的に接続する導電層が塗布される。絶縁基板の側壁及び底部の表面と導電層との間に、粘着性を強くするための附着層が挟まれる。また、本発明の導電層は、反射ミラーまたは透光層に形成される。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板の上部表面に形成され、中央部の表面が周辺部の表面より高い第1GaN系半導体層と、前記第1GaN系半導体の中央部の上に形成され、光を発生する活性層と、前記活性層上に形成される第2GaN系半導体層と、前記第2GaN系半導体層上に形成される第1電極と、前記絶縁基板の側壁及び底部の表面に塗布され、前記第1GaN系半導体層の側壁と電気的に接続する導電層と、を備えていることを特徴とする化合物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Fターム (18件)：

5F041AA21 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315816   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176033   出願人：株式会社東芝