特許

J-GLOBAL ID：200903037059036544

研磨砥粒と研磨液及びその研磨方法並びに半導体装置の製造方法

発明者： 勝村 宣仁
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041366
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226666
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子の高集積化にはウエーハ上に形成した薄膜の平坦化が不可欠であるが、その研磨時に発生するスクラッチの低減が望まれていた。【解決手段】無機物と分子量が500以上である非電解質の有機物とからなる複合粒子を研磨砥粒として溶媒に分散し、さらに研磨促進剤を添加して研磨液としたものを用いることにより被研磨体表面を化学機械的に予担化する。

請求項（抜粋）：

無機物と有機物とを備え、該有機物が非電解質であることを特徴とする研磨砥粒。

IPC (9件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  B24D 3/00 330 ,  B24D 3/00 350 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (10件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  B24D 3/00 330 D ,  B24D 3/00 350 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/304 622 B ,  H01L 21/306 M

Fターム (20件)：

3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C063AA10 ,  3C063BB14 ,  3C063BB15 ,  3C063BB30 ,  3C063CC30 ,  3C063EE10 ,  5F043BB27 ,  5F043BB30 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10