薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277697
公開番号（公開出願番号）：特開平8-134653
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】液晶表示装置を構成する電極基板を製造するための、薄膜形成において、均熱板の構造を改良し、表示品位の低下を防止する。【構成】均熱板(1)は、主平面に対して0.1〜0.3mmせり上げられた接触部(1a,1b)が形成され、基板(10)の非表示部(10b)のみで接触して支持する構造である。これにより、接触部(1a,1b)及び細隙を介した非接触部(1c)より熱が伝達されて、基板(10)の温度分布が均一にされるとともに、表示部(10a)には接触していないので、均熱板(1)に異物があって基板(10)に傷が付いたり、汚れたりしても、表示に影響はでない。

請求項（抜粋）：

所定の温度及び圧力の環境下で、材料用の固体または気体に化学的または/および物理的にエネルギーを与えて反応を起こさせ、形成予定の薄膜を構成する微粒子を活性状態で取り出し、この粒子を基板上に堆積させて不活性化することにより、前記薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記基板の前記薄膜が形成される面と反対側の面に均熱板を近接させて、前記基板の温度分布を小さくした状態で前記薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/46 , C23C 14/34 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , H01L 21/205

前のページに戻る