特許

J-GLOBAL ID：200903037061270279

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079045
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268257
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光出力をさらに向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1)層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層の各膜厚は5オングストローム〜50オングストロームの範囲である

請求項（抜粋）：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1)層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層の各膜厚は5オングストローム〜50オングストロームの範囲であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。