特許

J-GLOBAL ID：200903037068254961

半導体単結晶およびその製造方法

発明者： 岩崎 俊夫 ,  中靜 恒夫 ,  長谷部 政美 ,  大久保 正道 ,  原田 博文
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188536
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041383
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性(以下、酸化膜耐圧)の優れたシリコン単結晶およびその製造法を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するために本発明においては、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で1200°C〜850°Cの温度域を200分以上滞在させる。また、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性のCモード合格率が1ウェーハにつき60%以上である様な、酸化膜耐圧が優れたシリコン単結晶である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で1200°C〜850°Cの温度域を200分以上滞在させることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-042893
  
• 特開平2-267195
  
• 特開平4-042893
  
• 特開平2-267195