特許
J-GLOBAL ID:200903037073074939
マイクロ波半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-110944
公開番号(公開出願番号):特開平9-298409
出願日: 1996年05月01日
公開日(公表日): 1997年11月18日
要約:
【要約】【課題】 異なる誘電体層に構成されたマイクロ波回路を電磁結合で接続する際に広帯域な特性を可能にし、組立、工作を簡易にすることを目的とする。【解決手段】 一方の基板に構成したマイクロストリップ線路のスタブ線路と他方の基板に構成したスタブ線路の特性インピーダンスと電気長及びスロット線路の特性インピーダンスと電気長を所定の値に選定することにより使用周波数帯域の上端周波数をfH、下端周波数をfL、中心周波数をf0としたときf0、fH、fLで無反射条件が満たされる。このとき、fHとfL及びf0の関係は、f0=(fH+fL)/2で与えられる。すなわち、このようなインピーダンス及び長さの関係にスタブ線路とスロット線路の長さを選ぶとfHを最高f0の2倍近い周波数にまで高めることができる。
請求項(抜粋):
地導体を挟み層状に重ねた第1及び第2の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性インピーダンスZ0 のマイクロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略1/4波長とする特性インピーダンスZm の先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概略1/2波長とする特性インピーダンスZs のスロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をfH 、下端周波数をfL 、中心周波数をf0 {=(fH+fL)/2}としたときに、【数1】を満たす関係に設定してなるマイクロ波回路を備えたマイクロ波半導体装置。
IPC (7件):
H01P 5/02 603
, H01P 3/08
, H01P 5/08
, H01P 5/16
, H01Q 3/40
, H01Q 13/08
, H01Q 13/10
FI (7件):
H01P 5/02 603
, H01P 3/08
, H01P 5/08 L
, H01P 5/16 D
, H01Q 3/40
, H01Q 13/08
, H01Q 13/10
引用特許:
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