特許
J-GLOBAL ID：200903037087421119
半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法及びリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001433
公開番号（公開出願番号）：WO2001-067513
出願日： 2000年03月09日
公開日（公表日）： 2001年09月13日
要約：
【要約】本発明はリードレス表面実装型でかつ樹脂封止型の半導件装置及びその製造方法に関し、半導体素子と、この半導体素子を封止する樹脂パッケージと、この樹脂パッケージの実装側面に突出形成された端子と、この端子と半導体素子上の電極パッドとを接続するワイヤとを具備してなる半導体装置において、半導体素子の下面に半導体素子で発生する熱を放熱する放熱板を設け、熱放散性の向上を図る。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、 該半導体素子を封止する樹脂パッケージと、 該樹脂パッケージの実装側面に突出形成された複数の樹脂突起と、 該樹脂突起に配設された金属膜と、 前記半導体素子上の電極パッドと前記金属膜とを電気的に接続するワイヤとを具備してなる半導体装置において、 前記半導体素子と対向するよう配設され、前記半導体素子から発生する熱を放熱する放熱用部材を設け、 かつ、該放熱部材の前記実装面からの突出量が、前記金属膜を含んだ前記樹脂突起の突出量以下となるよう構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 R
, H01L 23/28 A
