特許

J-GLOBAL ID：200903037087497166

逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法

発明者： 殷 華湘 ,  朴 永洙 ,  金 善日
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-189006
公開番号（公開出願番号）：特開2009-060087
出願日： 2008年07月22日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】逆転構造の不揮発性メモリ素子、そのスタックモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一つの底ゲート電極は、基板上に提供され、少なくとも一層の電荷保存層は、少なくとも一つの底ゲート電極上に提供され、少なくとも一層の半導体チャンネル層は、少なくとも一層の電荷保存層上に提供される不揮発性メモリ素子である。少なくとも一層の半導体チャンネル層の両側に電気的にそれぞれ連結された少なくとも一つのソース電極及び少なくとも一つのドレイン電極をさらに備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の少なくとも一つの底ゲート電極と、 前記少なくとも一つの底ゲート電極上の少なくとも一層の電荷保存層と、 前記少なくとも一層の電荷保存層上の少なくとも一層の半導体チャンネル層と、を備えることを特徴とする逆転構造の不揮発性メモリ素子。

IPC (8件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L27/10 434 ,  H01L29/06 301D ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B

Fターム (71件)：

5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP56 ,  5F083EP75 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083EP79 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER14 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD10 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HM04 ,  5F110HM19 ,  5F110QQ19