特許
J-GLOBAL ID:200903037088342662

サージアブソーバ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-367343
公開番号(公開出願番号):特開2003-168538
出願日: 2001年11月30日
公開日(公表日): 2003年06月13日
要約:
【要約】【課題】 放電開始電圧がばらつくのを防止して、安定化させることができると共に長寿命化を図ること。【解決手段】 絶縁性基板11に放電間隙13を形成するための放電間隙形成溝12が設けられる。放電間隙形成溝12は、予め絶縁性基板11の所定位置にレーザ光を照射してその照射部位を除去することによってV字状に形成されている。放電電極14は、絶縁性基板11の上面に印刷されたとき、その放電間隙形成溝12より大きな隙間Lを有して対向配置される。絶縁性基板11に放電電極14が印刷されたとき、その電極材料の一部が、絶縁性基板11の上面の放電電極14と放電間隙形成溝12間に設けられたガイド部16により、放電間隙形成溝12の幅方向の両外端まで導かれることにより、電極延長部15が設けられている。
請求項(抜粋):
絶縁性基板の上面に放電間隙を介し互いに対向配置される放電電極が形成されるサージアブソーバの製造方法において、前記絶縁性基板の上面に前記放電間隙をなす放電間隙形成溝を形成する形成工程と、前記絶縁性基板の上面に前記放電間隙形成溝を含めた所望の間隔を有する放電電極をそれぞれ形成する電極形成工程と、前記放電電極の一部を前記放電間隙形成溝まで導いて電極延長部を形成する延長部形成工程とを有することを特徴とするサージアブソーバの製造方法。
IPC (2件):
H01T 4/10 ,  H01T 2/02
FI (2件):
H01T 4/10 G ,  H01T 2/02 F
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • ICカード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-310931   出願人:三菱電機株式会社

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