特許

J-GLOBAL ID：200903037089256891

低誘電率膜とそれを用いた半導体装置

発明者： 小池 麻子 ,  田子 一農
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052254
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237241
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】低誘電率、低吸湿性および高温耐久性に優れた半導体装置の層間絶縁に用いることができる低誘電率膜の提供。【解決手段】低誘電率のビーズをシリカ系モノマに均一に分散,重合させるか、または、ポリアミド酸初期重合体に熱分解性の発泡剤を加えて、これを発泡させて重合させ、直径20nm以下の独立気泡を均一に分散させた低誘電率膜。

請求項（抜粋）：

シリカ系の低誘電率膜に粒径20nm以下、比誘電率2.8以下のビーズ(微小球体)を含有させたことを特徴とする低誘電率膜。

IPC (10件)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/10 ,  C08J 9/06 CFG ,  C08L 23/06 ,  C08L 25/06 ,  C08L 27/18 ,  C08L 83/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  C08L 79:08

FI (11件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 B ,  C08G 73/10 ,  C08J 9/06 CFG ,  C08L 23/06 ,  C08L 25/06 ,  C08L 27/18 ,  C08L 83/00 ,  H01L 21/316 G ,  C08L 79:08 ,  H01L 21/90 S

Fターム (72件)：

4F074AA74 ,  4F074BA13 ,  4F074BA14 ,  4F074BA15 ,  4F074BA16 ,  4F074BA18 ,  4F074BA19 ,  4F074BA20 ,  4F074CA29 ,  4F074DA03 ,  4F074DA12 ,  4F074DA59 ,  4J002BB03X ,  4J002BC03X ,  4J002BD15X ,  4J002CM04X ,  4J002CP02W ,  4J002CP03W ,  4J002CP08W ,  4J002FA08X ,  4J043PA02 ,  4J043PA19 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043RA06 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043TA22 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UA262 ,  4J043UA332 ,  4J043UB051 ,  4J043UB061 ,  4J043UB402 ,  4J043YA06 ,  4J043ZA43 ,  4J043ZA46 ,  4J043ZB50 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02