特許

J-GLOBAL ID：200903037089301048

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 中島 光一 ,  石塚 慶一 ,  熊原 吉一
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000002864
公開番号（公開出願番号）：WO2000-068456
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2000年11月16日
要約：

【要約】100〜2000ppmのSnを含有するIn及びZn酸化物を主成分とする透明導電膜形成用IZOスパッタリングターゲット、並びに100〜2000ppmのSnを含有し、ZnOが0.5〜25重量%になるようにIn2O3とZnOを混合した粉末を1100〜1500°Cで焼結するIn及びZnの酸化物を主成分とする透明導電膜形成用IZOスパッタリングターゲットの製造方法に関する。In及びZnの酸化物を主成分とするIZO透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図り、非常にわずかなSn量の添加により、バルク抵抗値を下げ、かつスパッタリングにおいて安定的に放電が可能な透明導電膜形成用IZOスパッタリングターゲット及び該透明導電膜を安定かつ再現性よく得る。

請求項（抜粋）：

100〜2000ppmのSnを含有することを特徴とするIn及びZn酸化物を主成分とする透明導電膜形成用IZOスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  G09F 9/00 342 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  G09F 9/00 342 C ,  H01L 21/203 S