特許

J-GLOBAL ID：200903037091997491

CMOSイメージセンサ及びその製造方法

発明者： 洪 希 ジョン
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-383723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165589
出願日： 2002年12月28日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】微細技術を用いた低電力、高集積CMOSイメージセンサの単位画素で隣接ピクセル間の電気的、光的干渉を抑制し、光感度を向上させることができるCMOSイメージセンサを提供する。【解決手段】本発明は、相対的に長波長の光を感知する第1フォトダイオードと、前記第1フォトダイオードと隣接形成されて短波長の光を感知する第2フォトダイオードが共に集積化されたCMOSイメージセンサにおいて、前記第1及び第2フォトダイオードは、不純物濃度を異なるように形成することを特徴とするCMOSイメージセンサおよびその製造方法。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

相対的に長波長の光を感知する第1フォトダイオードと、前記第1フォトダイオードと隣接形成されて短波長の光を感知する第2フォトダイオードが共に集積化されたCMOSイメージセンサにおいて、 前記第1及び第2フォトダイオードは、それぞれ 第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板表面から前記基板内部に形成された第1導電型の第1イオン注入領域と、 前記第1イオン注入領域と接し、その下部の前記基板内部に形成された第2導電型の第2イオン注入領域と、 前記第2イオン注入領域と接し、その下部の前記基板内部に形成され、前記第2イオン注入領域より低濃度である第2導電型の第3イオン注入領域と、 前記第3イオン注入領域と接し、その下部に形成され、前記第2イオン注入領域より低濃度である第2導電型の第4イオン注入領域を含んでおり、 前記第2フォトダイオードは、 前記第3イオン注入領域及び第4イオン注入領域の側面を覆って形成され、前記第4イオン注入領域より深く形成され、前記第3イオン注入領域及び前記第4イオン注入領域より高農度を有する第1導電型の第5イオン注入領域と を含んでなることを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 D

Fターム (18件)：

4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA25 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  5C024CX03 ,  5C024CX11 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31