特許

J-GLOBAL ID：200903037096847226

固体撮像素子とその製造方法

発明者： 高橋 史年
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176496
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351855
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】トップレンズと光電変換素子との間に層内レンズを備える固体撮像素子において、斜めに入射する光に対しても効率よく光電変換素子上に集光することができる固体撮像素子を得ること。【解決手段】半導体基板10上に配置される光電変換素子11と、遮光層13と、第2の保護膜17と、光電変換素子11の形成位置に対応して第2の保護膜17上に形成される層内レンズ20と、表面平坦化層30と、光電変換素子11の形成位置に対応して表面平坦化層30上に形成されるトップレンズ40と、を備える固体撮像素子1において、層内レンズ20は、表面平坦化層30の屈折率と同じかまたはそれに近い材料を有する材料によって構成され、上に凸のレンズ形状を有する凸レンズ部と、凸レンズ部よりも大きな屈折率を有する材料によって構成され、凸レンズ部の側面部の周囲を覆うサイドウォールと、によって構成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配置される光電変換素子と、 前記半導体基板上の所定の位置への光を遮光する遮光層と、 前記遮光層を覆うように形成される保護膜と、 前記光電変換素子の形成位置に対応して前記保護膜上に形成される第1のレンズと、 該第1のレンズを覆い、表面を平坦化させる表面平坦化層と、 前記光電変換素子の形成位置に対応して前記表面平坦化層上に形成される第2のレンズと、 を備える固体撮像素子において、 前記第1のレンズは、 前記表面平坦化層の屈折率と同じかまたはそれに近い材料を有する材料によって構成され、上に凸のレンズ形状を有する凸レンズ部と、 前記凸レンズ部よりも大きな屈折率を有する材料によって構成され、前記凸レンズ部の側面部の周囲を覆うサイドウォールと、 によって構成されることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (13件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD20 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001493   出願人：キヤノン株式会社