特許

J-GLOBAL ID：200903037097064217

パワー半導体装置

発明者： 九嶋 忠雄 ,  田中 明 ,  斎藤 隆一 ,  鈴木 和弘 ,  小池 義彦 ,  清水 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145973
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340719
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の内部高絶縁耐電圧耐量を確保する。【解決手段】導電パターン端部とベース板間の絶縁基板沿面上の導電部との境界領域を、絶縁耐圧10kVrms以上を有する結晶性並びに非結晶性の無機系ガラス材で被覆する。

請求項（抜粋）：

導電パターンを形成した絶縁基板を単数枚以上搭載したベース材の外周部に、絶縁樹脂からなるケース構造体を配置し、その内部全域を耐絶縁性ゲル剤で充填させた構造のパワー半導体装置において、導電パターン端部とベース板間の絶縁基板沿面上の導電部との境界領域を、熱膨張係数3.2〜12.5×10-6/°C,封着温度410〜750°C,絶縁耐圧10kVrms以上を有する結晶性並びに非結晶性の無機系ガラス材で被覆したことを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 23/30 G ,  H01L 23/48 G

Fターム (11件)：

4M109AA02 ,  4M109AA03 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB09 ,  4M109DB10 ,  4M109DB16 ,  4M109EC07 ,  4M109ED04 ,  4M109GA02