荷電粒子ビーム照射によるパターン形成方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096531
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283496
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】配線層と絶縁層とを積層した多層配線構造体を有するLSI等の電子装置を荷電粒子ビームで加工するに際し、誤判定がなく、自動化した、判定にあたって加工の過度の進行を回避できる信頼性の高い加工終点検出手段を備えたパターン形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】集束イオンビーム加工装置100からの2次イオン信号(MCP信号)を分岐して、一方を集束イオンビーム加工装置のメインコントローラ70に、他方を加工終点検出モジュール80に送り、加工終点検出モジュール内において、ビーム走査領域内の一定領域からの信号をハード的に加算する。加算した信号をソフト的に平均化、微分処理を施し、加工終点アルゴリズムを通して、加工終点を判定する。判定した時点で、加工停止信号を集束イオンビーム加工装置のメインコントローラ70に送信し、逆に加工停止確認信号を受信し、1つの加工を終了する。

請求項（抜粋）：

電子装置の絶縁層と配線層とが積層された多層配線構造体の所定領域に荷電粒子ビームを集束して照射し、加工終点を検出しながら所定深さまで加工するパターン形成方法であって、前記配線が絶縁層よりも2次イオン放出能の高い物質層と低い物質層との積層構造を有して構成され、前記ビーム照射によって照射領域から放出される2次イオン強度をモニタして加工終点を検出するに際し、2次イオン信号の変化を記録し、その波形を解析することで2次イオン放出能の高い物質層における2次イオン強度のピーク、もしくは2次イオン放出能の低い物質層における2次イオン強度のボトムを検出して加工終点を判定するようにして成るパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01J 37/30 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/302 E , H01J 37/30 A , H01L 21/66 Q

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