特許

J-GLOBAL ID：200903037113490094

半導体発光装置及びこれに用いる半導体発光素子の製造方法

発明者： 井上 登美男 ,  小屋 賢一
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068131
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269547
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 製造工程においては半導体発光素子の半導体層に物理的な損傷を与えずしかもフリップチップ型の実装形態であっても発光輝度を高く維持できる半導体発光装置の提供。【解決手段】 フリップチップ型の半導体発光素子を製造するに際し、電極形成面側に設ける透明電極1dを被覆する保護膜10を設けておき、透明電極1dの表面に物理的損傷が及ばない工程になる直前で保護膜10を取り除き、半導体発光装置に実装したときには透明電極1dからの光の取り出しを抑えて透明の基板1a側からの発光輝度を高める。

請求項（抜粋）：

透明の基板の上にn型層及びp型層を積層し、前記n型層の表面にはn側電極を及び前記p型層の表面のほぼ全域には透明電極を形成するとともに前記透明電極の表面にp側電極を備え、前記透明電極を光透過面とする半導体発光素子と、前記半導体発光素子の全体を樹脂で封止するパッケージとからなり、前記透明電極自身を外郭面として前記樹脂の封止面に直に臨ませ、前記透明の基板を主光取り出し方向としたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/48

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/48 F

Fターム (17件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA03 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CB33 ,  5F041DA09 ,  5F041DA43 ,  5F041DA55 ,  5F041DA83