特許
J-GLOBAL ID：200903037121494678
強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215467
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050960
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 リーク電流や酸素の拡散に起因する抵抗率変化を生じず、安定動作が可能であり、強誘電体キャパシタが繰り返しの反転によっても分極疲労し難く、長寿命で高信頼性を保持できる強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置と、これらの製造方法を提供する。【解決手段】 Ir下部電極13とPZT薄膜14とIr上部電極15とを有し、結晶粒界51a、51b、51cを介して結晶粒50a、50b、50cが集合してなる結晶粒層14a、14b、14cがIr電極13の面に沿う結晶粒界52A、52Bを介して積層されて、強誘電体膜14が形成されたキャパシタである。Ir等の最適な電極物質の選定、TiOX 核付け及び過剰Pbによる結晶成長方向の制御、及び表面析出物が消失する最適アニール温度等の条件を全て満足し、チタン酸化物を堆積させた上に鉛を過剰に含む強誘電体膜材料層を形成し、析出物の消失温度で熱処理を繰り返してPZTの各結晶粒層を積層する。
請求項（抜粋）：
酸化され易い金属からなる第1の電極と、この第1の電極上の強誘電体膜と、この強誘電体膜上の第2の電極とを有し、結晶粒界を介して結晶粒が集合してなる結晶粒層の複数個が前記第1の電極の面に沿う結晶粒界を介して積層されることによって、前記強誘電体膜が形成されている強誘電体キャパシタ。
IPC (10件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, C23C 28/00
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, C23C 28/00 B
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 371
