半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阪本清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244167
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063173
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】複数の光電変換素子と複数の薄膜トランジスタとを同一基板上に積層して成る半導体装置において、読み取り信号のS/N比を向上させて階調性の向上を図る。【構成】薄膜トランジスタTをスタガ型とすることにより、光電変換素子Pの光電変換層2aと薄膜トランジスタの半導体活性層22bを同一材料から成り且つ同時に着膜される半導体膜で形成し、光電変換素子Pの光電変換層2aと薄膜トランジスタの半導体活性層22bとは各光電気変換素子及び薄膜トランジスタ毎に互に分離される島状として、各素子間において寄生トランジスタの発生を防いでノイズの発生を防止する。

請求項（抜粋）：

光電変換層を下部電極と上部電極とで挟んで形成された複数の光電変換素子と、半導体活性層を有する複数の薄膜トランジスタとを同一基板上に形成して成る半導体装置において、前記薄膜トランジスタをスタガ型とすることにより前記光電変換層及び半導体活性層を同一材料から成り且つ同時に着膜された半導体膜で形成するとともに、各ビットに対応する光電変換層と半導体活性層とは互に分離される島状としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 29/784 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 C , H01L 29/78 311 C

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