特許

J-GLOBAL ID：200903037127939370

連続CVD製造装置

発明者： 脚田 洋
出願人/特許権者： 脚田 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-168480
公開番号（公開出願番号）：特開2004-332093
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課 題】CVD法によって基板上に生成される半導体膜、カーボンナチューブなどは従来、バッチ式と言われる製法で製造されているが、・生産性が低い。・エネルギーロスが小さい。・生産の自動化が困難である。問題があり、コストの高い製品になっている。【解決手段】CVD生成炉の両端にトレイ4及び基板5の通過可能なスリット開口2を設け、基板を連続的にCVD生成炉内に送り込むと共に、CVD生成炉内に生成に必用なガスを送り、生成後、基板を連続的に取り出すことにより、半導体膜、カーボンナチューブなどを連続的に製造できる為、上記課題が解決出来る。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

CVD生成炉の両端部にスリット開口を設け、生成物を生成させる為の基板を生成炉の一端のスリット開口より炉内に挿入し、炉内で基板に生成物を生成した後、炉他端のスリット開口より基板を排出することを特徴とした、CVD製造装置。

IPC (4件)：

C23C16/54 ,  C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/205

FI (4件)：

C23C16/54 ,  C01B31/02 101F ,  C23C16/26 ,  H01L21/205

Fターム (29件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC19 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA27 ,  4K030DA02 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030GA12 ,  4K030HA04 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  5F045AA03 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045DP13 ,  5F045DP23 ,  5F045EE14 ,  5F045EE20 ,  5F045EK06 ,  5F045EK11