特許

J-GLOBAL ID：200903037130264375

半導体記憶装置

発明者： 見目 篤子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287578
公開番号（公開出願番号）：特開平5-128845
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、メモリのイニシャライズ時間を短縮することにある。【構成】 イニシャライズ制御回路10を設け、当該回路10の制御により、複数のワード線W3,W4,W5,W6を同時に選択レベルに駆動制御し、複数のメモリセルQ20〜Q23,Q31〜Q34に対して所望論理レベルの一括書込みを可能とすることでイニシャライズの時間短縮を図る。

請求項（抜粋）：

ロウアドレス信号に基づいて選択レベルに駆動されるワード線と、このワード線に結合されたメモリセルとを含む半導体記憶装置において、複数のワード線を同時に選択レベルに駆動制御することにより複数のメモリセルに対して所望論理レベルの一括書込みを可能とするイニシャライズ制御手段を含むことを特徴とする半導体記憶装置。